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除了有諸多企業紛紛投入這一藍海之外，全球科研機構也展開了這一領域的研發，據了解，美國在深紫外的研究方面領先，但是近年已經被日本超越;我國臺灣和韓國起步相對較晚，但在該領域也取得了一些進展;國內在該領域近年來發展很快，裝備、材料和器件方面都有了一定的積累，目前正在積極的向應用模塊發展。
2013年9月6日下午，中國科學院承擔的國家重大科研裝備研制項目——“深紫外固態激光源前沿裝備研制項目”在北京通過驗收，使我國成為目前世界上唯一能夠制造實用化深紫外全固態激光器的國家;而作為國內氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發機構，中國科學院半導體研究所半導體照明研發中心在國家863計劃的支持下，在氮化鋁鎵材料的外延生長和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面同樣積累了多年研發經驗，目前已成功實現發光波長從260nm到300nm的深紫外LED芯片系列，并已具備產業化批量生產能力;廈門大學物理與機電工程學院教授康俊勇研究組下的課題小組經過幾年攻關，課題小組副教授黃凱與博士生高娜等借用一個超薄鋁膜破解了深紫外LED器件“光抽取效率”關鍵難題，為未來此類器件在醫療、環保、軍事等領域的產業化應用開啟新的方法和思路。
據了解，目前深紫外LED正處于技術發展期，在專利和知識產權方面限制較少，有利于占領、引領未來的技術制高點。在大規模產業之前，還需要國家的引導和支持，以便在核心技術方面取得先機。
在這一領域擁有領先技術的國外企業今年紛紛加碼這一市場，據悉日本旭化成擬在2014年興建可量產具有殺菌效果的紫外線LED的測試性產線，年產能雖不明，惟預估旭化成將對子公司“富士支社”投下數十億日圓，導入可因應初期量產的設備，目標為在2020年度達成營收300億日圓的目標。此外，位于日本東京的日機裝公司表示，公司正在設立新的深紫外LED工廠，目標是在2014年中開始投產，UVB和UVC LED光源年產能超過100萬組。
行業的成長需要良好的土壤
與可見光LED相比，目前深紫外LED的發光效率和光輸出功率普遍較低。要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸，重點要研究如何突破低位錯密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術，設計出高量子效率和高光提取效率的LED器件結構，以及開發高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術。
——中國科學院半導體研究所研究員 張韻
目前，高Al 組分Ⅲ 族氮化物材料質量不高，所制備的深紫外LED 發光器件仍存在內量子效率、載流子注入效率和沿c 軸方向正面出光效率較低的難題，因而制約了高效紫外發光器件的制備。
——廈門大學福建省半導體材料及應用重點實驗室 陳航洋
我認為應該由科技部牽頭，從國家層面制定政策，用來支持鼓勵這類行業的發展。而有了政府導向，投資人也會追漸轉變態度，從而良性循環
——青島杰生電氣有限公司副總裁 周瓴
隨著中國經濟的發展，生活水平的提高，人們會更加追求高品質的生活，會更加關注健康，這些需求必然會激發深紫外LED應用市場的發展。
——青島杰生電氣有限公司董事長 張國華
結束語
“目前深紫外LED在我國的市場尚未完全打開，由于技術難度大，許多欲進入這一領域的企業望而卻步，但是隨著LED市場的日漸飽和，企業想在LED市場有所斬獲，除了有發現的目光外，還需有過硬的技術作為支撐。”
